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XPQ1R004PB-LXHQ

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Pour Référence Seulement

Référence XPQ1R004PB-LXHQ
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description 40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications XPQ1R004PB-LXHQ

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesU-MOSIX-H
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C200A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 500µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs84 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6890 pF @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)230W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurL-TOGL™
Paquet / cas8-PowerBSFN

XPQ1R004PB-LXHQ Packaging

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Sealing
Packing
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XPQ1R004PB-LXHQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that XPQ1R004PB-LXHQ is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the XPQ1R004PB-LXHQ. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including XPQ1R004PB-LXHQ on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of XPQ1R004PB-LXHQ products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the XPQ1R004PB-LXHQ price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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