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XPN9R614MC-L1XHQ

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XPN9R614MC-L1XHQ

Pour Référence Seulement

Référence XPN9R614MC-L1XHQ
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 39 813 piece(s)
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Spécifications XPN9R614MC-L1XHQ

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesU-MOSVI
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C40A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 500µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3000 pF @ 10 V
Vgs (Max)+10V, -20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs9.6mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Paquet / cas8-PowerVDFN

XPN9R614MC-L1XHQ Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that XPN9R614MC-L1XHQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the XPN9R614MC-L1XHQ price and inventory displayed accurate?
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