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XPN6R706NC-L1XHQ

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Pour Référence Seulement

Référence XPN6R706NC-L1XHQ
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications XPN6R706NC-L1XHQ

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesU-MOSVIII-H
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C40A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 300µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs6.7mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Paquet / cas8-PowerVDFN

XPN6R706NC-L1XHQ Packaging

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Sealing
Packing
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