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XP231N02013R-G

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Pour Référence Seulement

Référence XP231N02013R-G
Fabricant Torex Semiconductor Ltd
Description MOSFET N-CH 30V 200MA SOT323-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications XP231N02013R-G

FabricantTorex Semiconductor Ltd
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C200mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs0.18 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6.5 pF @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)350mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs5Ohm @ 10mA, 4.5V
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-323-3A
Paquet / casSC-70, SOT-323

XP231N02013R-G Packaging

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Sealing
Packing
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XP231N02013R-G FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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