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WNSC2D04650XQ

WNSC2D04650XQ

WNSC2D04650XQ

Pour Référence Seulement

Référence WNSC2D04650XQ
Fabricant WeEn Semiconductors
Description DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 8 826 piece(s)
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Spécifications WNSC2D04650XQ

FabricantWeEn Semiconductors
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Courant - Rectifié moyen (Io)4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.7 V @ 4 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr20 µA @ 650 V
Capacité @ Vr, F125pF @ 1V, 1MHz
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Package de périphérique fournisseurTO-220F
Température de fonctionnement - Jonction175°C

WNSC2D04650XQ Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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WNSC2D04650XQ FAQ

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