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WNSC2D04650DJ

WNSC2D04650DJ

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Pour Référence Seulement

Référence WNSC2D04650DJ
Fabricant WeEn Semiconductors
Description DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 186 piece(s)
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Spécifications WNSC2D04650DJ

FabricantWeEn Semiconductors
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Courant - Rectifié moyen (Io)4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.7 V @ 4 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr20 µA @ 650 V
Capacité @ Vr, F125pF @ 1V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseurDPAK
Température de fonctionnement - Jonction175°C

WNSC2D04650DJ Packaging

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Sealing
Packing
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WNSC2D04650DJ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that WNSC2D04650DJ is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the WNSC2D04650DJ. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including WNSC2D04650DJ on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of WNSC2D04650DJ products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the WNSC2D04650DJ price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of WNSC2D04650DJ?
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