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WNSC04650T6J

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Pour Référence Seulement

Référence WNSC04650T6J
Fabricant WeEn Semiconductors
Description DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications WNSC04650T6J

FabricantWeEn Semiconductors
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Courant - Rectifié moyen (Io)4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.7 V @ 4 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 650 V
Capacité @ Vr, F141pF @ 1V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas4-VSFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur5-DFN (8x8)
Température de fonctionnement - Jonction175°C (Max)

WNSC04650T6J Packaging

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Packing
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WNSC04650T6J FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the WNSC04650T6J. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including WNSC04650T6J on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of WNSC04650T6J products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the WNSC04650T6J price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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  • 6. What is the process for return or replacement of WNSC04650T6J?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of WNSC04650T6J.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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