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WN3S10H65CDJ

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Pour Référence Seulement

Référence WN3S10H65CDJ
Fabricant WeEn Semiconductors
Description DIODE TO252
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications WN3S10H65CDJ

FabricantWeEn Semiconductors
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Configuration de diode1 Pair Common Cathode
Type de diodeSchottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)65 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si690 mV @ 5 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr70 µA @ 65 V
Température de fonctionnement - Jonction-40°C ~ 150°C
Type de montageSurface Mount
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseurDPAK

WN3S10H65CDJ Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

WN3S10H65CDJ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that WN3S10H65CDJ is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the WN3S10H65CDJ. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including WN3S10H65CDJ on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of WN3S10H65CDJ products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the WN3S10H65CDJ price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of WN3S10H65CDJ?
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