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VS-8ETH03-1-M3

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Référence VS-8ETH03-1-M3
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description DIODE GEN PURP 300V 8A TO262AA
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications VS-8ETH03-1-M3

FabricantVishay General Semiconductor - Diodes Division
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
SériesFRED Pt®
Type de diodeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)300 V
Courant - Rectifié moyen (Io)8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.25 V @ 8 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)35 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr20 µA @ 300 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Package de périphérique fournisseurTO-262AA
Température de fonctionnement - Jonction-65°C ~ 175°C

VS-8ETH03-1-M3 Packaging

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Sealing
Packing
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VS-8ETH03-1-M3 FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of VS-8ETH03-1-M3?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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