Name: VS-3C10ET07T-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: VS-3C10ET07T-M3
Availability: InStock
Rating: 5 (91 reviews)

VS-3C10ET07T-M3

Pour Référence Seulement

Référence	VS-3C10ET07T-M3
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description	650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	9 141 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 28 - déc. 3 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications VS-3C10ET07T-M3

Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de diode	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Courant - Rectifié moyen (Io)	10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si	1.5 V @ 10 A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	55 µA @ 650 V
Capacité @ Vr, F	445pF @ 1V, 1MHz
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-220-2
Package de périphérique fournisseur	TO-220AC
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C

VS-3C10ET07T-M3 Packaging

VS-3C10ET07T-M3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of VS-3C10ET07T-M3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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