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UPA2730TP-E2-AZ

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UPA2730TP-E2-AZ

Pour Référence Seulement

Référence UPA2730TP-E2-AZ
Fabricant Renesas
Description UPA2730 - POWER FIELD-EFFECT TRA
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications UPA2730TP-E2-AZ

FabricantRenesas
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C20A (Ta), 42A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs97 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4670 pF @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3W (Ta), 40W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs7mOhm @ 7.5A, 10V
Température de fonctionnement150°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-HSOP
Paquet / cas8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)

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Packing
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UPA2730TP-E2-AZ FAQ

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