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UPA2717GR-E1-AT

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Pour Référence Seulement

Référence UPA2717GR-E1-AT
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description P-CHANNEL POWER MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications UPA2717GR-E1-AT

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C15A
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3550 pF @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs5.5mOhm @ 7.5A, 10V
Température de fonctionnement150°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-PowerSOP
Paquet / cas8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)

UPA2717GR-E1-AT Packaging

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Packing
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  • 3. Are the UPA2717GR-E1-AT price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
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