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UPA1952TE-T1-A

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UPA1952TE-T1-A

Pour Référence Seulement

Référence UPA1952TE-T1-A
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description MOSFET 2P-CH 20V 2A SC95
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications UPA1952TE-T1-A

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FETLogic Level Gate, 1.8V Drive
Tension de drain à la source (Vdss)20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C2A (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs135mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds272pF @ 10V
Puissance - Max1.15W (Ta)
Température de fonctionnement150°C
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSC-95
Package de périphérique fournisseurSC-95

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Packing
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UPA1952TE-T1-A FAQ

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  • 3. Are the UPA1952TE-T1-A price and inventory displayed accurate?
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