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UPA1872BGR-9JG-E1-A

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Pour Référence Seulement

Référence UPA1872BGR-9JG-E1-A
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description MOSFET 2N-CH 20V 10A 8TSSOP
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications UPA1872BGR-9JG-E1-A

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C10A
Rds sur (max) @ id, vgs13mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds945pF @ 10V
Puissance - Max2W
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur8-TSSOP

UPA1872BGR-9JG-E1-A Packaging

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Sealing
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  • 2. How does Heisener guarantee that UPA1872BGR-9JG-E1-A is from the original manufacturer or authorized agents?
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