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UPA1808GR-9JG-E1-A

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UPA1808GR-9JG-E1-A

Pour Référence Seulement

Référence UPA1808GR-9JG-E1-A
Fabricant Renesas
Description UPA1808 - N CHANNEL MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications UPA1808GR-9JG-E1-A

FabricantRenesas
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C9.5A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds660 pF @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs17mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement150°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-Power TSSOP
Paquet / cas8-PowerTSSOP (0.173", 4.40mm Width)

UPA1808GR-9JG-E1-A Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that UPA1808GR-9JG-E1-A is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the UPA1808GR-9JG-E1-A price and inventory displayed accurate?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of UPA1808GR-9JG-E1-A.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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