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UF3C065080K3S

UF3C065080K3S

UF3C065080K3S

Pour Référence Seulement

Référence UF3C065080K3S
Fabricant Qorvo
Description MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 36 543 piece(s)
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Spécifications UF3C065080K3S

FabricantQorvo
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologie-
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C31A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)12V
Vgs (th) (Max) @ Id6V @ 10mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
Vgs (Max)±25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)190W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs100mOhm @ 20A, 12V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-3
Paquet / casTO-247-3

UF3C065080K3S Packaging

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Sealing
Packing
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UF3C065080K3S FAQ

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