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UF3C065080B7S

UF3C065080B7S

UF3C065080B7S

Pour Référence Seulement

Référence UF3C065080B7S
Fabricant Qorvo
Description SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 8 883 piece(s)
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Spécifications UF3C065080B7S

FabricantQorvo
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Cascode SiCJFET)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C27A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id6V @ 10mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 100 V
Vgs (Max)±25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)136.4W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs105mOhm @ 20A, 12V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK-7
Paquet / casTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

UF3C065080B7S Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

UF3C065080B7S FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that UF3C065080B7S is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the UF3C065080B7S price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of UF3C065080B7S?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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