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TW107Z65C-S1F

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TW107Z65C-S1F

Pour Référence Seulement

Référence TW107Z65C-S1F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 270 piece(s)
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Spécifications TW107Z65C-S1F

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C20A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1.2mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 400 V
Vgs (Max)+25V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)76W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs152mOhm @ 10A, 18V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-4L(X)
Paquet / casTO-247-4

TW107Z65C-S1F Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

TW107Z65C-S1F FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TW107Z65C-S1F is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the TW107Z65C-S1F price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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