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TW060N120C-S1F

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TW060N120C-S1F

Pour Référence Seulement

Référence TW060N120C-S1F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 150 piece(s)
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Spécifications TW060N120C-S1F

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C36A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 4.2mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1530 pF @ 800 V
Vgs (Max)+25V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)170W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs78mOhm @ 18A, 18V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247
Paquet / casTO-247-3

TW060N120C-S1F Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

TW060N120C-S1F FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TW060N120C-S1F is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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