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TW030Z120C-S1F

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TW030Z120C-S1F

Pour Référence Seulement

Référence TW030Z120C-S1F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 330 piece(s)
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Spécifications TW030Z120C-S1F

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C60A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 13mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2925 pF @ 800 V
Vgs (Max)+25V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)249W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs41mOhm @ 30A, 18V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-4L(X)
Paquet / casTO-247-4

TW030Z120C-S1F Packaging

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Sealing
Packing
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TW030Z120C-S1F FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TW030Z120C-S1F is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the TW030Z120C-S1F price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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