Name: TW015N65C-S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TW015N65C,S1F
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

TW015N65C-S1F

Pour Référence Seulement

Référence	TW015N65C-S1F
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	192 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 9 - juil. 14 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TW015N65C-S1F

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 11.7mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	128 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4850 pF @ 400 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	342W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	21mOhm @ 50A, 18V
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Paquet / cas	TO-247-3

TW015N65C-S1F Packaging

TW015N65C-S1F FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TW015N65C-S1F.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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