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TSM80N1R2CH

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Pour Référence Seulement

Référence TSM80N1R2CH
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description 800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications TSM80N1R2CH

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)800 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C5.5A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs19.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds685 pF @ 100 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)110W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.2Ohm @ 2.75A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-251 (IPAK)
Paquet / casTO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

TSM80N1R2CH Packaging

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Sealing
Packing
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TSM80N1R2CH FAQ

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