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TSM60NC196CI-C0G

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TSM60NC196CI-C0G

Pour Référence Seulement

Référence TSM60NC196CI-C0G
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 11 520 piece(s)
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Spécifications TSM60NC196CI-C0G

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C20A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1535 pF @ 300 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)70W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs196mOhm @ 9.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurITO-220
Paquet / casTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TSM60NC196CI-C0G Packaging

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Sealing
Packing
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TSM60NC196CI-C0G FAQ

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WSL2010R0100FEA

RES SMD 0.01 OHM 1% 1/2W 2010

67997-210HLF

CONN HEADER 10POS .100 STR 15AU

DMF3Z5R5H474M3DTA0

CAP SUPER 470MF 5.5V 3-SMD

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

IC VREF SERIES 2.048V 6DFN

74HC14DR2G

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IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

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PC28F256P30TFE

IC FLASH 256MBIT 100NS 64EASYBGA

1N6283A

TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC AXIAL

MAX13442EASA+T

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