Name: TSM60NB1R4CH
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM60NB1R4CH
Availability: InStock
Rating: 5 (187 reviews)

TSM60NB1R4CH

Pour Référence Seulement

Référence	TSM60NB1R4CH
Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Description	600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 18 - janv. 23 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TSM60NB1R4CH

Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.12 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	257.3 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	28.4W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	1.4Ohm @ 900mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-251 (IPAK)
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

TSM60NB1R4CH Packaging

TSM60NB1R4CH FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM60NB1R4CH.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as TSM60NB1R4CH pin diagram, TSM60NB1R4CH datasheet?

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TSM60NB1R4CH

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