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TSM60NB190CF

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Pour Référence Seulement

Référence TSM60NB190CF
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description 600V, 18A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications TSM60NB190CF

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C18A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1311 pF @ 100 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)59.5W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs190mOhm @ 3.7A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurITO-220S
Paquet / casTO-220-3 Full Pack

TSM60NB190CF Packaging

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Sealing
Packing
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TSM60NB190CF FAQ

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    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM60NB190CF.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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