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TSM60NB099CZ-C0G

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Pour Référence Seulement

Référence TSM60NB099CZ-C0G
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications TSM60NB099CZ-C0G

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C38A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2587 pF @ 100 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)298W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs99mOhm @ 11.3A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220
Paquet / casTO-220-3

TSM60NB099CZ-C0G Packaging

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Sealing
Packing
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TSM60NB099CZ-C0G FAQ

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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM60NB099CZ-C0G.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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