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TSM280NB06LCR-RLG

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Pour Référence Seulement

Référence TSM280NB06LCR-RLG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 35 805 piece(s)
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Spécifications TSM280NB06LCR-RLG

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C7A (Ta), 28A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds969 pF @ 30 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs28mOhm @ 7A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-PDFN (5.2x5.75)
Paquet / cas8-PowerLDFN

TSM280NB06LCR-RLG Packaging

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Sealing
Packing
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TSM280NB06LCR-RLG FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
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