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TSM2311CX-01-RFG

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Pour Référence Seulement

Référence TSM2311CX-01-RFG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications TSM2311CX-01-RFG

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds640 pF @ 6 V
Vgs (Max)±8V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)900mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs55mOhm @ 4A, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-23
Paquet / casTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

TSM2311CX-01-RFG Packaging

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Sealing
Packing
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TSM2311CX-01-RFG FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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