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TSM22P10CZ-C0G

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Pour Référence Seulement

Référence TSM22P10CZ-C0G
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description MOSFET P-CH 100V 22A TO220
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications TSM22P10CZ-C0G

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C22A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2250 pF @ 30 V
Vgs (Max)±25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)125W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs140mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220
Paquet / casTO-220-3

TSM22P10CZ-C0G Packaging

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Sealing
Packing
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TSM22P10CZ-C0G FAQ

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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TSM22P10CZ-C0G?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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