Name: TSM130NB06LCR-RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM130NB06LCR RLG
Availability: InStock
Rating: 5 (72 reviews)

TSM130NB06LCR-RLG

Pour Référence Seulement

Référence	TSM130NB06LCR-RLG
Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Description	MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	22 500 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 20 - nov. 25 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TSM130NB06LCR-RLG

Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Ta), 51A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2175 pF @ 30 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	13mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-PDFN (5.2x5.75)
Paquet / cas	8-PowerLDFN

TSM130NB06LCR-RLG Packaging

TSM130NB06LCR-RLG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM130NB06LCR-RLG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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