Name: TSM110NB04DCR-RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM110NB04DCR RLG
Availability: InStock
Rating: 5 (105 reviews)

TSM110NB04DCR-RLG

Pour Référence Seulement

Référence	TSM110NB04DCR-RLG
Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Description	MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	44 646 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 29 - janv. 3 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TSM110NB04DCR-RLG

Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET	-
Tension de drain à la source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Ta), 48A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	11mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1506pF @ 20V
Puissance - Max	2W (Ta), 48W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur	8-PDFN (5x6)

TSM110NB04DCR-RLG Packaging

TSM110NB04DCR-RLG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM110NB04DCR-RLG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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