Name: TSM085NB03CV-RGG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM085NB03CV RGG
Availability: InStock
Rating: 5 (73 reviews)

TSM085NB03CV-RGG

Pour Référence Seulement

Référence	TSM085NB03CV-RGG
Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Description	30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	30 000 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 29 - févr. 3 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TSM085NB03CV-RGG

Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11A (Ta), 58A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1101 pF @ 15 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.92W (Ta), 52W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	8.5mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-PDFN (3.15x3.1)
Paquet / cas	8-PowerWDFN

TSM085NB03CV-RGG Packaging

TSM085NB03CV-RGG FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM085NB03CV-RGG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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TSM085NB03CV-RGG Des garanties

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