Name: TSM033NB04CR-RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM033NB04CR RLG
Availability: InStock
Rating: 5 (102 reviews)

TSM033NB04CR-RLG

Pour Référence Seulement

Référence	TSM033NB04CR-RLG
Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Description	MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	10 875 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 22 - nov. 27 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TSM033NB04CR-RLG

Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	21A (Ta), 121A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	77 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5022 pF @ 20 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta), 107W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	3.3mOhm @ 21A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-PDFN (5.2x5.75)
Paquet / cas	8-PowerLDFN

TSM033NB04CR-RLG Packaging

TSM033NB04CR-RLG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM033NB04CR-RLG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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