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TSG65N068CE-RVG

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Pour Référence Seulement

Référence TSG65N068CE-RVG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 8 895 piece(s)
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Spécifications TSG65N068CE-RVG

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FET-
La technologie-
Tension de drain à la source (Vdss)-
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C-
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs-
Température de fonctionnement-
Type de montage-
Package de périphérique fournisseur-
Paquet / cas-

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Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

TSG65N068CE-RVG FAQ

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  • 3. Are the TSG65N068CE-RVG price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TSG65N068CE-RVG?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSG65N068CE-RVG.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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