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TRS24N65FB-S1F-S

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TRS24N65FB-S1F-S

Pour Référence Seulement

Référence TRS24N65FB-S1F-S
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications TRS24N65FB-S1F-S

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Configuration de diode1 Pair Common Cathode
Type de diodeSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)12A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.7 V @ 12 A
La vitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr90 µA @ 650 V
Température de fonctionnement - Jonction175°C (Max)
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-247-3
Package de périphérique fournisseurTO-247

TRS24N65FB-S1F-S Packaging

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Sealing
Packing
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TRS24N65FB-S1F-S FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of TRS24N65FB-S1F-S?
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