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TP65H300G4JSGB-TR

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Pour Référence Seulement

Référence TP65H300G4JSGB-TR
Fabricant Transphorm
Description GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 11 826 piece(s)
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Spécifications TP65H300G4JSGB-TR

FabricantTransphorm
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesSuperGaN®
Type de FETN-Channel
La technologieGaNFET (Gallium Nitride)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C9.2A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 500µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 400 V
Vgs (Max)±10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)41.6W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs312mOhm @ 6.5A, 6V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-PQFN (5x6)
Paquet / cas8-PowerTDFN

TP65H300G4JSGB-TR Packaging

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Sealing
Packing
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TP65H300G4JSGB-TR FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of TP65H300G4JSGB-TR?
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