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TP65H150G4LSG-TR

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TP65H150G4LSG-TR

Pour Référence Seulement

Référence TP65H150G4LSG-TR
Fabricant Transphorm
Description 650 V 13 A GAN FET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications TP65H150G4LSG-TR

FabricantTransphorm
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieGaNFET (Gallium Nitride)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C13A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.8V @ 500µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds598 pF @ 400 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)52W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur3-PQFN (8x8)
Paquet / cas3-PowerTDFN

TP65H150G4LSG-TR Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

TP65H150G4LSG-TR FAQ

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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
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  • 6. What is the process for return or replacement of TP65H150G4LSG-TR?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TP65H150G4LSG-TR.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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