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TO252MDD7N65DS

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Pour Référence Seulement

Référence TO252MDD7N65DS
Fabricant NextGen Components
Description MOSFET TO-252 N 650V 7A
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications TO252MDD7N65DS

FabricantNextGen Components
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTO-252
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C7A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs20.7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Température de fonctionnement-
Type de montage-
Package de périphérique fournisseur-
Paquet / cas-

TO252MDD7N65DS Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

TO252MDD7N65DS FAQ

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