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TK7S10N1Z-LXHQ

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Pour Référence Seulement

Référence TK7S10N1Z-LXHQ
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 8 715 piece(s)
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Spécifications TK7S10N1Z-LXHQ

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesU-MOSVIII-H
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C7A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs7.1 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds470 pF @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)50W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs48mOhm @ 3.5A, 10V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDPAK+
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

TK7S10N1Z-LXHQ Packaging

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Sealing
Packing
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TK7S10N1Z-LXHQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK7S10N1Z-LXHQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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