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TK2P60D-TE16L1-NV

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Pour Référence Seulement

Référence TK2P60D-TE16L1-NV
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications TK2P60D-TE16L1-NV

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C2A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.4V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds280 pF @ 25 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)60W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs4.3Ohm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement150°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPW-MOLD
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

TK2P60D-TE16L1-NV Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

TK2P60D-TE16L1-NV FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
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