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TK25S06N1L-LXHQ

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TK25S06N1L-LXHQ

Pour Référence Seulement

Référence TK25S06N1L-LXHQ
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 10 815 piece(s)
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Spécifications TK25S06N1L-LXHQ

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesU-MOSVIII-H
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C25A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds855 pF @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)57W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDPAK+
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

TK25S06N1L-LXHQ Packaging

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Packing
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TK25S06N1L-LXHQ FAQ

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