Name: TK160F10N1L-LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK160F10N1L,LQ
Availability: InStock
Rating: 5 (154 reviews)

TK160F10N1L-LQ

Pour Référence Seulement

Référence	TK160F10N1L-LQ
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 16 - nov. 21 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TK160F10N1L-LQ

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	U-MOSVIII-H
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	160A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	122 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10100 pF @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	375W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	2.4mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-220SM(W)
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK160F10N1L-LQ Packaging

TK160F10N1L-LQ FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TK160F10N1L-LQ.

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(1)Inform us within 90 days

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