Name: TK12J60W-S1VE-S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12J60W,S1VE(S
Availability: InStock
Rating: 5 (178 reviews)

TK12J60W-S1VE-S

Pour Référence Seulement

Référence	TK12J60W-S1VE-S
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	févr. 15 - févr. 20 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TK12J60W-S1VE-S

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11.5A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	890 pF @ 300 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	300mOhm @ 5.8A, 10V
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3P(N)
Paquet / cas	TO-3P-3, SC-65-3

TK12J60W-S1VE-S Packaging

TK12J60W-S1VE-S FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TK12J60W-S1VE-S.

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