Name: TK110Z65Z-S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK110Z65Z,S1F
Availability: InStock
Rating: 5 (165 reviews)

TK110Z65Z-S1F

Pour Référence Seulement

Référence	TK110Z65Z-S1F
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	21 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 16 - nov. 21 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TK110Z65Z-S1F

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	DTMOSVI
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	24A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.02mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2250 pF @ 300 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	190W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	110mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-4L(T)
Paquet / cas	TO-247-4

TK110Z65Z-S1F Packaging

TK110Z65Z-S1F FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TK110Z65Z-S1F.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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