Name: TK110N65Z-S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK110N65Z,S1F
Availability: InStock
Rating: 5 (127 reviews)

TK110N65Z-S1F

Pour Référence Seulement

Référence	TK110N65Z-S1F
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247(O
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	75 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 16 - nov. 21 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TK110N65Z-S1F

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	DTMOSVI
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	24A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.02mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2250 pF @ 300 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	190W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	110mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Paquet / cas	TO-247-3

TK110N65Z-S1F Packaging

TK110N65Z-S1F FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TK110N65Z-S1F.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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