Name: TK110E65Z-S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK110E65Z,S1X
Availability: InStock
Rating: 5 (73 reviews)

TK110E65Z-S1X

Pour Référence Seulement

Référence	TK110E65Z-S1X
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	318 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 2 - juil. 7 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TK110E65Z-S1X

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	24A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.02mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2250 pF @ 300 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	190W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	110mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220
Paquet / cas	TO-220-3

TK110E65Z-S1X Packaging

TK110E65Z-S1X FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the TK110E65Z-S1X we delivered, we will accept the replacement or return of the TK110E65Z-S1X only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TK110E65Z-S1X.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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