Name: TK090N65Z-S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK090N65Z,S1F
Availability: InStock
Rating: 5 (172 reviews)

TK090N65Z-S1F

Pour Référence Seulement

Référence	TK090N65Z-S1F
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	81 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 28 - janv. 2 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TK090N65Z-S1F

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	DTMOSVI
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.27mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2780 pF @ 300 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	230W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	90mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Paquet / cas	TO-247-3

TK090N65Z-S1F Packaging

TK090N65Z-S1F FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TK090N65Z-S1F.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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