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TJ90S04M3L-LXHQ

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TJ90S04M3L-LXHQ

Pour Référence Seulement

Référence TJ90S04M3L-LXHQ
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 19 155 piece(s)
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Spécifications TJ90S04M3L-LXHQ

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesU-MOSVI
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C90A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs172 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7700 pF @ 10 V
Vgs (Max)+10V, -20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)180W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs4.3mOhm @ 45A, 10V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDPAK+
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

TJ90S04M3L-LXHQ Packaging

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Packing
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TJ90S04M3L-LXHQ FAQ

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