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TJ8S06M3L-LXHQ

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Pour Référence Seulement

Référence TJ8S06M3L-LXHQ
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 10 179 piece(s)
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Spécifications TJ8S06M3L-LXHQ

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesU-MOSVI
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C8A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds890 pF @ 10 V
Vgs (Max)+10V, -20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)27W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs104mOhm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDPAK+
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

TJ8S06M3L-LXHQ Packaging

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Sealing
Packing
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TJ8S06M3L-LXHQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TJ8S06M3L-LXHQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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