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TJ200F04M3L-LXHQ

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TJ200F04M3L-LXHQ

Pour Référence Seulement

Référence TJ200F04M3L-LXHQ
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications TJ200F04M3L-LXHQ

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesU-MOSVI
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C200A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs460 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1280 pF @ 10 V
Vgs (Max)+10V, -20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)375W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.8mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-220SM(W)
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

TJ200F04M3L-LXHQ Packaging

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Sealing
Packing
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TJ200F04M3L-LXHQ?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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